El Mercado de la Electrónica de Potencia para Vehículos Eléctricos Superará los 42.000 Millones de Dólares en 2036
El año 2025 ha marcado un punto de inflexión para la industria de la electrónica de potencia. A pesar de una desaceleración en las ventas de vehículos eléctricos (VE), la consultora IDTechEx pronostica que el mercado de la electrónica de potencia para vehículos eléctricos triplicará su tamaño, alcanzando los 42.000 millones de dólares en 2036. En el nuevo informe de IDTechEx, «Electrónica de Potencia para Vehículos Eléctricos 2026-2036: Tecnologías, Mercados y Pronósticos», se analizan estas tendencias para proyectar ventas unitarias, tamaño del mercado y el coste en dólares por kW.
(Texto de la imagen original: IDTechEx pronostica que el mercado de electrónica de potencia para VE se triplicará entre 2025 y 2036, impulsado por las tendencias tecnológicas en SiC y GaN. Fuente: Power Electronics for Electric Vehicles 2026-2036: Technologies, Markets, and Forecasts)
La Ralentización de Ventas de VE no Frenará al Carburo de Silicio (SiC)
Si bien las ventas de vehículos eléctricos de batería (BEV) se han ralentizado a nivel global, la penetración de mercado continúa creciendo. IDTechEx sigue considerando que el potencial de crecimiento de los MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) es significativo. La desaceleración global en el crecimiento de los BEV se está viendo compensada por un aumento en la implementación de MOSFET de SiC en los inversores de tracción de los vehículos eléctricos híbridos enchufables (PHEV).
Fabricantes de primer nivel (OEMs) y proveedores de Nivel 1, como Toyota y Schaeffler, han anunciado o revelado detalles de sistemas de propulsión PHEV que utilizan MOSFET de SiC.
Esta es otra señal de que los MOSFET de SiC están avanzando hacia la madurez del mercado. Incluso cuando solo una parte de los ciclos de conducción es puramente eléctrica y los tamaños de las baterías son más pequeños, las compañías siguen eligiendo integrar SiC en sus vehículos eléctricos. A pesar de la reingeniería necesaria para los inversores de SiC y la reducción de ingresos de proveedores de dispositivos como Wolfspeed este año, está claro que los MOSFET de SiC son ahora una opción mucho más generalizada para los VE que hace un año.
Un impulsor principal de la reducción de costes general de los MOSFET de SiC es el aumento de la competencia entre los proveedores de obleas (wafers) de SiC, con muchas empresas escalando ya su producción a 200mm. Los costes de las obleas de SiC superan con creces a los de los productos de Silicio (Si) y pueden representar hasta la mitad del coste total de un chip MOSFET de SiC.
Hace dos años, solo Wolfspeed y Coherent eran capaces de producir obleas de SiC de 200mm a escala. En 2025, Wolfspeed abrió sus obleas de 200mm al mercado general, e Infineon ha escalado la producción de obleas de SiC de 200mm, entregando sus primeros productos basados en esta plataforma a principios de año. Simultáneamente, empresas chinas han validado y escalado la producción de obleas de SiC, fortaleciendo la cadena de suministro de OEMs nacionales como Xiaomi y Li Auto.
El Nitruro de Galio (GaN) de Alto Voltaje para Automoción ya es una Realidad
Durante años, se ha predicho que las propiedades materiales del Nitruro de Galio (GaN) revolucionarían la conversión de energía. Junto con el notable interés que rodea al GaN en las fuentes de alimentación para centros de datos, la industria de la automoción no debe pasarse por alto como un mercado de alto potencial de crecimiento para el GaN.
El GaN ya se utiliza en sistemas LiDAR y convertidores DC-DC de bajo voltaje, y finalmente veremos el primer despliegue de GaN en el cargador a bordo (OBC) del Changan Qiyuan E07. Se espera que este modelo entre en el mercado en 2026 con dispositivos GaN suministrados por Navitas. Su densidad de potencia declarada de 6kW/L es muy superior a las densidades vistas en la investigación de IDTechEx sobre los OBC existentes, donde 2kW/L es el estándar actual.
También hay múltiples compañías trabajando en el diseño, control y semiconductores de potencia usando GaN en el inversor de tracción, incluyendo a VisIC Technologies, NXP y Cambridge GaN Devices. Aunque IDTechEx cree que las implementaciones comerciales en inversores llegarán más tarde que en los OBC y convertidores DC-DC, el rendimiento y los ahorros de costes potenciales del uso de GaN impulsarán la madurez tecnológica y la actividad del mercado durante los próximos diez años.
Otras Tendencias en Electrónica de Potencia: Inversores Híbridos y Módulos Embebidos
Los inversores híbridos son un tema candente y otro desarrollo clave que IDTechEx cree que impulsará la adopción de semiconductores de banda ancha (WBG) en los vehículos eléctricos. Al poner en paralelo una mezcla de diferentes transistores (Si IGBT, SiC MOSFET, GaN HEMT), se puede optimizar el rendimiento en todas las cargas mientras se minimiza el coste. Los controladores de puerta (gate drivers) y el equilibrio de carga son desafíos para estos sistemas, y la rápida disminución del coste de los MOSFET de SiC podría ser una barrera para su adopción generalizada.
Si se pudiera producir un inversor de tracción a un coste competitivo usando solo MOSFET de SiC, la complejidad adicional de añadir IGBTs en paralelo sería menos atractiva. Sin embargo, es poco probable que los MOSFET de SiC alcancen alguna vez la paridad de costes con los IGBT de Silicio, debido a las temperaturas requeridas para el crecimiento del cristal y el tamaño de los lingotes cultivados en comparación con el Silicio.
Los módulos de potencia embebidos (embedded), donde el chip semiconductor de potencia se incrusta directamente en la placa de circuito impreso (PCB), son otra forma de aumentar la densidad de potencia, eliminando la necesidad de soldaduras por hilo (wire bonds) y reduciendo parasitismos y resonancias (ringing). Aunque esto no se ha implementado en masa en vehículos de carretera a fecha de octubre de 2025, es otra tendencia que impulsará al alza las densidades de potencia generales de la electrónica de potencia.
Conclusiones
La electrónica de potencia es fundamental en el mundo moderno, ya sea en cargadores de móviles, paneles solares o vehículos eléctricos. Este año ha sido testigo de desarrollos clave en la cadena de suministro de SiC, la tecnología GaN y otras innovaciones que impulsarán el valor de la electrónica de potencia en los vehículos eléctricos, creciendo a un ritmo más rápido que el propio mercado de vehículos eléctricos.
IDTechEx pronostica las tecnologías de Si, SiC y GaN por tipo de conversión de potencia y tamaño de mercado anual, así como por aplicación en el VE, en su nuevo informe: «Electrónica de Potencia para Vehículos Eléctricos 2026-2036: Tecnologías, Mercados y Pronósticos».
